10月11日，随着技术的不断进步，手机要处理的数据也越来越多，这就要求手机存储想着更高性能、更大容量、更低功耗等方向不断演进。
今天国产存储厂商佰维宣布推出集成了LPDDR5和UFS3.1存储芯片的uMCP（多制层封装芯片）产品，容量为8GB+256GB。
据介绍，该产品依托多层叠Die、超薄Die等先进封装工艺将LPDDR5和UFS3.1二合一多芯片堆叠封装，最终芯片尺寸仅为11.5mm×13.0mm×1.0mm，相较于UFS3.1和LPDDR5分离的方案可节约最高55%的主板空间。
节约的空间可以简化手机主板的电路设计，为提高电池容量、主板其他零部件布局腾出空间，从而实现手机更灵活的设计。
据佰维官方表示，相比于其基于LPDDR4X的uMCP产品，基于LPDDR5的uMCP产品依托自研固件算法及多种固件功能加持，读速提升100%至2100MB/s。
同时，该产品还支持多Bank Group模式、采用WCK信号设计等，数据传输速率从4266Mbps提升50%至6400Mbps。LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，功耗降低30%。
佰维官方透露，未来将推出12GB+512GB的更大容量版本uMCP产品，进一步满足市场对于高性能、大容量存储的需求
