据韩媒《Businesskorea》报导,台湾台积电、南韩三星与美国英特尔,明年在2纳米芯片的竞争预计加速。
当前最先进的量产技术是三星电子和台积电生产的3纳米制程。 三星于去年6月开始量产3纳米工艺,台积电则于今年初开始量产。 然而,据报导,由于对初始良品率的担忧和半导体市场的低迷,3纳米制程的市场需求并未达到预期,客户对这些高成本先进制程的需求减少。
除了台积电独家生产苹果电脑用M3芯片和移动应用处理器A17之外,全球主要的无晶圆厂公司仍主要使用4纳米工艺,而非3纳米。
同时,台积电的主导地位只增不减。 根据市场研究公司TrendForce的数据,台积电在全球晶圆代工市场的占有率从2021年第三季度的53.1%成长到2023年同期的57.9%。 相较之下,三星代工厂的市占率同期从17.1%降至12.4%。
尽管如此,英特尔和三星都更专注于先于台积电开发先进工艺,而不是立即扩大订单。 他们的策略是抢占下一个市场,而不是与行业领导者进行价格竞争。 尤其是英特尔,正在采取积极措施重新进入代工业务。
英特尔计划在明年上半年量产20A 2纳米级产品,并在下半年开发1.8纳米级产品18A。 去年9月,英特尔已经推出了18A半导体晶圆的原型。
与此相关的是,荷兰半导体设备公司ASML近日在其官方社交媒体上宣布,将向英特尔交付全球首台High-NAEUV设备,预计将成为2纳米以下制程的关键工具。 去年年初,英特尔率先与ASML签订了该设备的合约,领先三星电子和台积电。
三星的目标是明年开始量产改进后的第二代3纳米工艺,并在2025年上半年实现2纳米工艺的量产。 台积电将2纳米制程的量产时间定为2025年下半年。 两家公司已分别向主要客户展示了2纳米原型机。