阿斯麦首台最新型「High-NA EUV」(高数值孔径极紫外光微影系统)买家，由英特尔抢到头香，预计2025年开始以这款最新设备生产先进制程芯片。 台积电何时采用备受关注，传出台积电计划2030年或以后才用采用「High-NA EUV」。
知名科技网站《Tom's Hardware》报导，英特尔收到ASML第一台最新型高数值孔径EUV，接下来几年间，英特尔将此系统部署到18A后的节点(1.8纳米制程)。 相较之下，台积电似乎并不急于在短期内采用高数值孔径EUV，中国华兴资本董事总经理吴思浩研判，台积电约在2030年或以后才会赶上这一潮流。
SemiAnalysis 和华兴资本的分析师认为，使用高数值孔径 EUV的成本，可能比使用Low-NA EUV更高，至少在初期是如此，这就是为什么台积电暂时不会倾向使用它的原因，以便确保低成本，即使代价是生产复杂性和可能较低的晶体管密度。
报导研判，英特尔希望透过高数值孔径EUV，领先台积电及三星，以确保战略利益。 因此，倘若台积电真如华兴资本的说法，在2030年或以后(即比英特尔晚到4-5年)才会采用高数值孔径光刻技术，如何保持制程技术领先地位，令人关注。
