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传三星试产第2代3纳米芯片 良率目标拼60%

来源:IT商业科技网    时间:2024-01-21 17:48:49

三星代工厂已开始采用第二代3纳米级制程技术试产芯片。 三星的目标是在未来6个月内实现超过60%的良率。

据报道,三星正测试其SF3制程上的芯片性能和可靠性。 同时,三星计划使用SF3的第一个产品是可穿戴设备应用处理器,该处理器将用于该公司即将推出的Galaxy Watch 7. 此外,三星还预计将该生产工艺用于其Exynos 2500系统明年推出的Galaxy S25系列智能手机的芯片技术。

三星于2023年11月发布的官方说明,将于2024年下半年开始在其SF3生产上进行芯片的大批量制造。 因此SF3应该已经开始试生产,证实该项报道。 SF3的生产开始对三星和整个产业来说都是一件大事。

同时,该报告提到假设测试芯片60%的良率目标,但没有透露其他目标,例如晶体管数量、芯片尺寸、性能、功耗及其如高效能、高密度等特性等。 由于三星代工厂的SF3产量目标存在许多不确定性,因此对整份报告仍应持保留态度。

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