三星电子将在 Nvidia 活动中进行开创性的展示，展示物理高带宽内存 3E 12 层 ，该内存计划于今年上半年量产。
由于 HBM 的主要客户 Nvidia 准备在上半年推出其下一代人工智能芯片 H200 和 B100.预计此次演示将为三星获得 HBM3E 的关键供应协议铺平道路。
据业内人士3月5日消息，三星电子将于2月18日至21日参加由英伟达在美国圣何塞会议中心主办的全球最大的人工智能大会GTC 2024.该公司计划展示一系列下一代内存产品，包括 Shinebolt HBM3E 品牌。
上个月，三星电子宣布成功开发大容量 36GB HBM3E 12 层产品，标志着该产品首次向公众展示。
三星计划在今年上半年开始量产HBM3E产品。该产品预计将出现在英伟达的下一代人工智能芯片 H200 和 B100 中。三星已经向英伟达发送了样品，并已开始验证过程。
HBM 市场的竞争日益激烈。市场研究公司报告称，虽然SK海力士和三星电子目前占据了HBM市场90%以上的份额，但美国公司美光科技正在迅速迎头赶上。
在此次活动中，SK海力士还将设立一个展台，展示其自己的HBM3和HBM3E存储芯片。美光科技计划推出其 24GB HBM3E 8 层产品，该产品将用于 Nvidia 的 H200 芯片。
