内存龙头美光2月底对外宣布，最新高带宽内存HBM3E已正式量产，新产品将用于英伟达今年第2季出货的顶级H200 Tensor Core GPU。 对于三星电子和SK海力士这两家韩国芯片厂来说，是震惊的消息。 为了加速追赶在HBM芯片里落后的地位，市场传出，三星电子计划使用竞争对手SK海力士主导的芯片制造技术。
《路透》引述消息人士消息，三星电子在HBM芯片落后的原因之一，是坚持使用称为非导电薄膜的芯片制造技术，这会导致一些生产问题，而SK海力士则是以大规模回流模制底部填充方法，来解决NCF的弱点据。
几位分析师表示，三星电子的HBM3芯片生产良率约为10%至20%，SK海力士的HBM3生产良率约为60%至70%。 为了加赶落后进度，三星电子最近发布了用于处理MUF技术的芯片制造设备的采购订单，也正在与材料制造商进行洽谈，其中包括日本长濑。
1位消息人士称，为了采购MUF材料，使用MUF的高阶芯片的大规模生产，预计最快可能要到明年才能准备就绪，在此之前三星电子需要进行更多的测试。
三星计划使用MUF技术，突显了AI内存芯片竞争中，持续增长的压力。 根据TrendForce数据显示，今年AI相关需求将带动HBM芯片市场倍增，达到近90亿美元。
