半导体设备大厂ASML近日交货第三代标准型极紫外光微影设备(光刻机)，设备型号为TwinscanNXE：3800E，配备了0.33数值孔径透镜。 相较于之前的Twinscan NXE：3600D，效能有了进一步的提高，可以支持未来几年3纳米及2纳米芯片的制造。
ASML 的社交媒体帐户向客户分享相关消息：「芯片制造商需要速度! 第一台 Twinscan NXE：3800E 现已安装在一家芯片工厂。 凭借其新的晶圆台，该系统将为打印先进芯片提供领先的生产力。 我们正在将光光光技术推向新的极限。」
Twinscan NXE：3800E 是 ASML 一系列 0.33 数值孔径 (Low-NA EUV) 微影技术在性能 (每小时处理的晶圆数量) 和精度方面的另一个飞跃。 有限的信息指出，新的EUV设备可达到每小时处理195片晶圆的处理速度，相比Twinscan NXE：3600D的160片大概提升了22%，未来有可能提高至220片。 此外，新工具还提供了小于1.1纳米的晶圆对准精度。
即便用于4/5纳米芯片的生产，Twinscan NXE：3800E也能提升效率，让制造商可以提高芯片生产的经济性，实现更有效率且更具成本效益的芯片生产。
更重要的是，Twinscan NXE：3800E对于制造2纳米芯片和后续需要双重曝光的制造技术有更好的效果，精度的提升会让3纳米以下的制程节点受益。
根据报道，现有的低数值孔径EUV设备的价格可能为1.83亿美元。 这比新一代高数值孔径EUV设备的报价，显然还是低很多。 先前有报道称，业界首款采用High-NA EUV光刻技术的TWINSCAN EXE：5200.报价达到3.8亿美元。
据报道，另一台低数值孔径EUV机器可能会在2026年发布，即ASML的下一代Twinscan NXE：4000F型号，预计将与新兴的高数值孔径解决方案共存。
