三星电子今年年的高带宽记忆体产能计划比去年扩增三倍，希望能藉此取得市场领导地位。
《韩国经济日报》27日报导，三星执行副总裁兼DRAM产品与科技部长Hwang Sang-joong 26日在加州圣荷西举行的《Memcon 2024》会议表示，预测今年三星的HBM产能有望年增2.9倍。 这高于三星稍早于2024年拉斯维加斯消费电子展预测的2.4倍。
Hwang指出，第三代HBM2E及第四代HBM3量产后，今年上半将开始大量生产12层的第五代HBM，以及使用32Gb晶粒的128 GB DDR5内存。 藉由这些产品，三星期望能在AI时代提升高效能、高容量存储器的市场地位。
三星并在会议上发表HMB技术路线图，预测2026年HBM出货量将比2023年高13.8倍，2028年HBM年产出将进一步比2023年多23.1倍。
三星最新HBM3E 12H芯片已开始送样，预计今年上半就可量产。
这场会议的参与者包括SK海力士 、微软、Facebook母公司Meta Platforms、英伟达及超微。
三星半导体事业部门负责人桂显上周才刚表示，公司正在开发次世代AI芯片「Mach-1」，已跟Naver Corp.敲定协议、预计今年底开始供应，合约金额上看1兆韩元。 Naver希望藉由跟三星的供应协议，大幅降低对英伟达的依赖。
华尔街日报3月26日报导，根据SemiAnalysis最新估计，SK海力士的HBM位市占约为73%，三星居次、达22%，而美光排名第三、约为5%。
