芯片制造将进入零度以下。 《Tom's Hardware》报导，SK海力士正在测试东京电子的低温蚀刻设备的性能。 消息人士指出，SK 海力士已将测试晶圆送至Tokyo Electron实验室测试，而不是装在自家晶圆厂，这有助于SK海力士进行评估。
消息人士指出，SK 海力士将在321层NAND使用三层堆叠结构。 要蚀刻均匀性良好的深层内存通道孔是大挑战，业界大都采用双层堆叠甚至三层堆叠制造3D NAND，因蚀刻垂直孔相当困难。
据报道，TEL新型蚀刻设备可在-70°C超低温高速蚀刻，与0至30°C 现有蚀刻设备不同，本设备用于氧化物蚀刻。 TEL最新蚀刻设备可在短短33分钟内完成10微米深高深宽比蚀刻，比现有工具快3倍以上，大幅提高3D NAND生产效率，这将有望重塑3D NAND设备的生产时间和产出质量。
SK 海力士采用TEL新型蚀刻设备后，未来可以较少堆叠层数制造400层以上3D NAND。 据了解，SK海力士目标是生产400层以上NAND，当使用更少堆叠封装更多层数，在制程变简单下，能使存储器制造商降低成本。
三星则在自家晶圆厂测试TEL试用版。
