三星HBM芯片落后竞争对手SK海力士与美光压力越来越大，路透报道，三星电最新的高带宽记忆体芯片因为散热问题，未通过英伟达的测试。
3名知情人士表示，由于热量和功耗问题，该公司的人工智能处理器的使用测试正在进行中。 这些问题影响到三星的HBM3芯片，该芯片是目前人工智能图形处理单元最常用的第四代HBM标准，以及三星及其竞争对手正在推向市场的第五代HBM3E芯片。
三星未通过英伟达测试的原因首次被通报。
三星在给路透社的声明中表示，HBM 是1款定制内存产品，需要“根据客户需求进行优化流程”，并补充说，公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。 它拒绝对特定客户发表评论。
英伟达拒绝置评。
3位消息人士称，自去年以来，三星一直在努力通过英伟达对HBM3和HBM3E的测试。 据两位知情人士透露，最近对三星8层和12层HBM3E芯片的失败测试结果已于4月公布。
目前尚不清楚这些问题是否可以轻易解决，但三位消息人士表示，未能满足英伟达达的要求增加了业界和投资者的担忧，即三星可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技在HBM中。
三星官员向其中两名消息人士介绍了此事，由于信息属于机密，因此消息人士要求匿名。
