韩媒从超微半导体CEO苏姿丰最新谈话推断，该公司可望成为三星电子的3纳米GAA制程客户。
南韩《经济日报》报导，AMD首席执行官苏姿丰出席了在比利时举行的imec ITF World 2024会议，并在论坛上公布了采用3纳米Gate-All-Around(GAA)技术量产下一代芯片的计划。 在会议上，她称赞3纳米GAA晶体管是提高效率和性能的催化剂，加上封装和互连的改进，使AMD产品更具成本效益和能源效率。
目前，三星是唯一将基于 GAA 的 3 纳米芯片处理技术商业化的芯片制造商。
三星与AMD多年来一直合作，共同开发用于智能手机的图形处理单元和高带宽记忆体芯片，这些芯片最近成为人工智能设备中炙手可热的产品。
分析师表示，如果两家合作伙伴联手开发3纳米技术，将有助于三星缩小其在晶圆代工领域，与市场领导者台积电的市占差距。
一位行业官员表示：「苏姿丰的言论被视为有效地正式确立了AMD与三星的3纳米代工合作。」
消息人士称，由于台积电的3纳米技术已被苹果和高通等客户预订满，AMD正在与三星拉近关系。
AMD专门开发服务器CPU，正在扩大其在人工智能加速器领域的业务，该加速器利用机器学习技术来处理大量数据。
去年，两家公司签署了一项多年合作伙伴关系扩展协议，将这家美国芯片设计公司的多代高效能、超低功耗Radeon图形功能引入三星Exynos应用处理器的扩展产品组合中。
三星也同意以更广泛的合作伙伴关系向AMD提供HBM芯片和统包封装服务。
GAA 架构是下一代代工微加工工艺，是一项改善静电特性的关键技术，可转化为更高的性能、更低的功耗和最佳的芯片设计。
三星表示，与先前的处理节点相比，3纳米GAA技术的效能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面积减少了45%。
三星计划从2025年开始量产基于GAA架构的2纳米芯片。
与三星不同，台积电和其他代工公司主要使用一种称为 FinFET 制程的技术。 由于其结构酷似鱼的背鳍，因此又被称为鳍式晶体管。
