三星代工在美国三星代工论坛上公布其先进芯片制造技术的更新路线图，其中包括2纳米级制程、1.4纳米级制造的计划，以及背面供电的引入，所有这些预计将在3年内实践。
2025年三星将推出SF2制程，以前称为SF3P。 此次重命名反映了2纳米级工艺技术在功耗、性能和面积指标方面的改进。 此制造流程针对高性能运算和智能手机应用。 三星的2纳米级使其领先于台积电，台积电计划在2025年底开始使用其N2制程制造芯片。
2026年，三星将推出SF2P节点，即SF2的增强版。 这次将采用速度更快但密度稍低的晶体管，这是半导体产业提高速度的常见权衡作法。
到2027年，三星计划发布SF2Z制程，纳入背面供电。 这项创新旨在提高性能、增加晶体管密度、提高电源质量并管理电压，从而解决先进芯片生产中的关键挑战。 同年，三星将推出SF1.4制程，标示着进入1.4纳米等级时代。
