韩国媒体《朝鲜日报》17日报导，南韩半导体业界人士指出，包括英伟达、超微、英特尔、高通等7大公司，已制定优先采用台积电3纳米制程的政策，这意味台积电与三星之间的市占率差距将进一步扩大。 报导说，导致该局面的主因在于三星3纳米芯片的功耗效率低台积电10%至20%，且过热问题一直未解。
报导说，今年全球IC与IT公司计划采用3纳米为主要制程。 业界人士指出，包括英伟达、超威、高通、联发科、苹果与Google等7家公司已制定政策，优先采用台积电3纳米制程。
尽管三星电子宣布量产3纳米制程已迈入第3年，仍难以保住客户。 业界人士说，低良率与低功耗效率是三星3纳米最大的问题。 三星正竭尽努力控制功耗与过热问题，在先进半导体制程中，这成为主要的决胜点，然而数值显示，三星的功耗效率仍低于台积电10%至20%。 随着人工智能服务在移动与服务器等主要市场上扩展，芯片功耗效率成为最重要因素。
报导指出，1家全球晶圆大厂主管说，「大客户选择台积电的最大理由是因为这两家公司生产的先进制程芯片，在功耗效率上出现差距」。 他补充，台积电生产成本比三星高，「但芯片效能上的巨大差异是他们选择台积电的主因」。
他也说，半导体发热的问题过去20年是先进芯片制造者的重大挑战，随着AI半导体时代的来临，这已变成首要议题。 他补充，就移动芯片而言，发热影响一部手机的整个结构; 该风险高到足以造成手机当机，而对服务器芯片而言，1个服务器架发热可能像野火般蔓延，引发整个服务器负载过高。 这意味晶圆厂知道如何控制发热是至关重要。
