全球第二大内存芯片制造商SK海力士周三表示,将于9月底开始大规模生产高带宽记忆体HBM3E 12层芯片。 SK海力士总裁兼人工智能基础设施部门负责人Justin Kim在台北举行的Semicon Taiwan行业论坛上发表上述评论。
7月,SK海力士披露计划从第4季度开始发货下一版本的HBM芯片,即12层HBM3E,以及从2025年下半年开始发货的HBM4.
高带宽记忆体是一种动态随机存取记忆体,该标准于2013年首次制定,其中芯片垂直堆栈以节省空间并降低功耗,是能够处理生成人工智能工作的先进内存芯片。 它也是人工智能图形处理单元的关键组件,有助于处理复杂应用程序产生的大量数据。