据报导，三星的3纳米芯片正面临低良率问题困扰，尽管三星对第二代3纳米制程和Exynos 2500 芯片表示有信心，但《韩国商报》的报告称三星3纳米良率较低，且未提供实际数据。
先前有传言称，三星将在Galaxy S25和Galaxy S25+中采用3nm Exynos 2500.在Galaxy S25 Ultra中采用3nm Snapdragon 8 Elite。 然而，这种情况可能会改变，据报道三星正努力开发内部3nm Exynos芯片。
三星半导体芯片代工领域一直面临问题，尽管投资数十亿美元，该公司仍未能赶上台积电。 韩媒体指出，事实上，三星与台积电的差距只会越来越大。 今年第2季度，台积电的市占率上升至62.3%，而三星代工厂的市占率则下降至仅剩11.5%。
三星可能会被迫在全球所有Galaxy S25 系列机型(Galaxy S25、Galaxy S25+ 和Galaxy S25 Ultra)使用高通的Snapdragon 8 Elite芯片。 过去，Snapdragon芯片比Exynos芯片更强大、更有效率，这对三星来说是个坏消息，因为它无法赶上台积电和高通。
