日本NAND Flash大厂铠侠将研发AI用省电内存，目标2030年代前半商业化，而日本政府最高将补助50%费用。
据报导，铠侠6日宣布，将研发AI用次世代内存。 铠侠将在今后3年内、投下360亿日元进行研发，而日本经济产业省最高将补助50%费用(最高补助180亿日元)，目标在2030年代前半(2030-2034年)实现商业化。
铠侠指出，将研发近年问世的CXL接口用记忆体，和DRAM相比、更省电，和NAND Flash相比、读取速度更快。 相较于DRAM在电力中断时、数据就会消失，CXL内存即便在断电时、也能保留大量数据，能降低AI驱动时的耗电量。
据报导，铠侠为全球第3大NAND Flash厂，不过不像竞争对手三星、SK海力士那样，铠侠没有生产近来受惠AI商机、提振需求急增的DRAM产品，因此铠侠目的藉由研发次世代内存、改变「仅有NAND」的事业结构。
