三星电子二代3纳米制程目前良率只有20%左右，未能达到英伟达及高通等主要潜在客户提出良率70%的要求，使得三星无法在最先进制程与台积电竞争。
据报导，三星算是IDM(整合元件)厂商，三星DS(半导体事业暨装置解决方案事业部)的三大业务存储器、系统LCSI逻辑芯片设计、Foundry晶圆代工环环相扣，三星原本以为可以吸引外部客户选择三星逻辑代工、HBM(高带宽记忆体)及先进封装的一站式解决方案，并带动自家储存业务部的先进HBM内存， 可惜三星并未实现良性循环，以至于半导体业务陷入危机。
报导指出，三星电子第一、二代3纳米制程目前良率分别为60%、20%，无法达到高通、英伟达等主要潜在客户提出良率70%要求，造成三星无法在最先进制程与台积电竞争，晶圆代工业务与台积电的差距进一步拉大，最终选择推迟新厂投资。
即使三星第一代3纳米工艺技术表现稍微好一点，也没有引起市场潜在客户的兴趣，其唯一的客户是加密货币ASIC制造商。
为了挽救危机，三星电子今年5月就无预警在年中更换DS部门负责人，由全永贤接替庆桂显。 韩媒预期，三星DS部门将在集团年度管理阶层调整中，将会再迎来高阶主管大洗牌，三大业务的负责人恐全数更换。
