据报导，三星第一代和第二代3纳米GAA制程的良率初始目标是70%，但这些新架构甚至还没有实现该目标的三分之一。
关于三星代工厂努力将3纳米良率提高到开始获得主要客户订单的情况报道很多，但迄今为止尚未实现，良率低得惊人，这让人们看到情况有多严峻和糟糕。
三星代工厂对其第一代和第二代3纳米 GAA工艺都有一个可观的良率目标，即70%，但尚未达到标准，这可以解释为什么三星未能吸引新客户。 事实上，更有传言指出第二代3纳米GAA良率非常糟糕，甚至没有达到预期目标的三分之一。
三星第一代和第二代3纳米 GAA的当前良率已经透过国内文章透露，情况并不乐观。 该公司已为其3纳米技术的第一次更新(也称为SF3E-3GAE)获得了一些可观的数字，介于50-60%之间，虽然这个数字更接近最初的70%目标，但三星仍需要达到该水平的产量，以便向客户证明下订单的合理性。
当前Snapdragon 8 Elite仅在台积电3纳米N3E架构上量产的一个主要原因是，三星因良率低而失去高通的订单。 至于第二代3纳米制程良率则差很多，只有可怕的20%，甚至不到三星最初设定目标的三分之一。
