据报导，台积电透过高数值孔径极紫外微影曝光机投资，已经为下一代芯片制造做好准备，并持续保持业界领先地位。
台积电对EUV和高数值孔径EUV技术的投资，可望塑造半导体制造的未来前景，这些巨额投资将使芯片的生产变得越来越强大和高效，适用于广泛的应用。
据报导，台积电预计将于2024年9月从荷兰制造商ASML接收其首个高数值孔径极紫外线曝光系统EXE：5000. 虽然媒体报告对确切的交付日期各不相同，有媒体指出将在今年年底前安装在台积电的新竹研发中心，但确切的时间表并不重要，重要的是更广泛的影响力。
关键要点是台积电对这项尖端技术不断变化的立场。 该公司最初持谨慎态度，现在已全面采用高NA EUV曝光机技术，以保持其在竞争激烈的芯片行业中的领先地位。 采用高NA EUV扫描仪对于台积电开发2纳米制程至关重要。 这些先进的系统将数值孔径从0.33增加到0.55.从而在半导体晶圆上实现更高分辨率和更精确的图案化。
台积电计划将高数值孔径EUV扫描仪纳入其1.4纳米制程中，该制程计划于14年进入量产。 然而，这些先进的曝光机系统不会立即投入运作。 在将其整合到大批量生产中之前，需要进行严格的测试、微调和制程优化。
当这些系统全面投入运作时，台积电预计将发展到其A10制程，这代表着超越其当前能力的几代技术。 此时间表与台积电推进芯片制造流程的更广泛路线图一致。
每个高数值孔径EUV系统的价格都很高，约3.84亿美元。 尽管如此，台积电在高数值孔径EUV方面的技术领先地位，预计将吸引更多寻求尖端芯片制造能力的高端客户。 这可能会进一步拉大台积电与其竞争对手之间的差距。
台积电已经凭借目前的EUV技术奠定坚实的基础。 该公司2019年正式开始采用EUV，推出了N7+制程，标志着业界首个商用EUV技术。 此后，台积电迅速扩大其EUV能力，EUV系统在2019年至2023年间成长了十倍。
