记忆体大厂SK海力士21日宣布，开始量产全球最高的321层1Tb TLC(Triple Level Cell)4D NAND Flash，计划从明年上半年开始提供给客户，以因应市场需求。
SK海力士表示，公司从2023年6月量产业界最高的上一代238层NAND Flash产品，并供应给市场，此次又率先推出超过300层的NAND Flash，突破技术限制。
SK 海力士说，此次产品采用高生产效率的「3-Plug」工艺技术，克服堆叠限制，透过分三次通孔，随后经优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接，过程中也开发出低变形材料，引进通孔间自动排列矫正技术，技术团队也将上一代238层NAND Flash的开发平台应用于321层，最大限度地减少工艺变化，与上一代相比， 生产效率提升59%。
SK 海力士321层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上，公司将以321层NAND Flash积极面向AI的低功耗、高性能新市场，逐渐扩大应用范围。
SK海力士NAND Flash开发担当副社长崔正达表示，公司率先投入300层以上的NAND Flash，将抢攻用于AI数据中心的固态硬盘、终端AI等市场，并占据有利位置，强调公司不仅在HBM为代表的DRAM，在NAND Flash领域也具备超高性能存储器产品组合，跃升为全方位面向AI的内存供应商。
NAND Flash 芯片根据每单元 (Cell) 可储存的信息量 (比特，bit)，分为 SLC(Single level Cell，1 位)、MLC(Muti Level Cell，2 位)、TLC(Triple Level Cell，3 位)、QLC(Quadruple Level Cell，4 位)、PLC(Penta Level Cell，5 位) 等不同规格。 单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以储存的数据越多。
