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HBM内存使用了TSV硅通孔技术,需要低温焊技术

来源:快科技    时间:2023-08-19 19:29:45

  8月19日消息,随着AI市场的爆发,不仅CPU、GPU算力被带动了,HBM内存也成为香饽饽,还有2.5D、3D封装技术,但是它们的产能之前很受限制,除了成本高,焊接工艺复杂也是问题。

  芯片焊接目前主要采用高温焊,焊料主要是SAC(Sn-Ag-Cu)锡、银、铜材质,熔点超过250℃,这个温度的焊接技术对大部分芯片来说没问题,但HBM内存使用了TSV硅通孔技术,这样的高温焊接就有可能导致变形。

  为此MK Electronics公司开发了专门适合HBM内存的低温焊技术,焊球由铋(Bi)、锡(Sn)和银(Ag)制成,熔化温度低于150℃,比之前降低了100多度。

  低温焊不仅提高了生产效率,还提高了HBM等芯片的良率,因为高热导致的产品缺陷及质量也控制住了,产能也可以保障。

  三星、SK海力士等公司正在扩大HBM内存的生产,这种低温焊技术很快也会得到大面积使用。

温度直降100多度 HBM内存也要用上低温焊了:产能大增

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