增产先进DRAM产品，传出美国存储器大厂美光日本广岛新厂将在2027年运转生产、将导入多台EUV(极紫外光)微影设备、投资额最高达8000亿日元。
日刊工业新闻28日报导，为了增产先进DRAM、美光位于日本广岛的新厂据悉将在2027年底运转生产。 该座先进DRAM新厂位于美光广岛工厂附近，将在2026年初动工兴建、将导入多台EUV微影设备，投资额最高达8000亿日元。
根据MoneyDJ XQ全球赢家系统报价，美光28日大涨2.46%、收132.67美元，创历史收盘新高。
日经新闻4月30日报导，为了因应生成式AI用记忆体需求扩大，美光将在日本广岛工厂量产生成式AI所必需的「高带宽记忆体」、目标在2025年将HBM全球市占率提高至25%、将达2022年的2倍以上水平。
美光执行副总裁兼事业长Sumit Sadana接受日经新闻专访表示，「广岛工厂将成为AI内存生产据点」，藉由导入次世代技术和增产投资，「目标将HBM市占率提高至25%左右水准」。 美光2024年2月开始出货的新型HBM产品已获英伟达采用。
据台湾调查公司Trendforce指出，2022年美光HBM市占率仅1成，落后给韩国SK海力士(市占率50%)和三星电子(40%)。
