NAND 快闪存储器控制芯片厂慧荣今日宣布，推出SM2756 UFS(Universal Flash Storage)4.0旗舰款控制芯片，采用6纳米制程，以因应快速成长的AI智能手机、车用和边缘运算等高效能应用需求，预计年中进入量产。
慧荣目前主力产品分布在12纳米，近年随着产品效能强化，也往6纳米方向前进，从去年第四季到今年预计将会有3个6纳米产品进行设计定案。
慧荣今日也同步推出全新第二代 UFS3.1 控制芯片 SM2753. 慧荣指出，UFS控制芯片系列已成为目前业界最广泛的产品组合，支持从UFS4.0到UFS2.2各种标准，也支持最广泛的NAND Flash，包括次世代高速的3D TLC和QLCNAND，为旗舰、主流和入门级的移动和运算设备提供高效能、低功耗的嵌入式解决方案。
SM2756 是全球最先进的 UFS 4.0 控制芯片解决方案，以领先的 6 纳米 EUV 技术为基础，并运用 MIPI M-PHY 低功耗架构，使其在效能与功耗间取得完美的平衡，满足现今顶级 AI 移动设备全天候运算需求。 SM2756循序读取效能超过每秒4.300 MB，循序写入速度超过每秒4.000 MB，支持各种3DTLC和QLC NAND，且支持容量最高可达2TB。
慧荣全新的第二代SM2753 UFS 3.1控制芯片解决方案采用高速序列连结的MIPI M-PHY HS-Gear4 x 2-Lane和SCSI架构模型，展现强大效能，继SM2754 UFS3控制芯片的成功上市，进一步推出主打单通道设计的SM2753.支持次世代3D TLC和QLC NAND以达到每秒2.150 MB/1.900MB 的循序读取/写入效能，同步满足主流与入门级手机、物联网装置以及车载应用的UFS3需求。
慧荣指出，最新的UFS控制芯片解决方案搭载先进的LDPC ECC技术和SRAM数据错误侦测与修正功能，能强化数据可靠性、提升效能并减少功耗。 此外，支持最广泛的闪存，包括所有NAND大厂所生产的3D TLC和QLC NAND。
慧荣终端与车用储存事业群资深副总段喜亭表示，SM2756采用6纳米EUV制程，满足最新顶级智慧型手机对高效能、高容量与低功耗储存的需求，符合次世代AI的功能和应用。 全新的单通道SM2753 UFS控制芯片让我们能以更具成本效益、高性能与低功耗的产品，持续在广大且不断增长的UFS3市场中保持领先地位。
