据报导，业界消息来源透露，三星晶圆代工部门正为量产2纳米制程芯片，加紧建立产线。 三星为了成立1条2纳米产线，其华城厂S3代工线已引进许多设备，希望明年第1季达成每月量产7000片晶圆的目标。
报导指出，明年第2季开始，三星还计划在平泽2厂S5装置1条1.4纳米制程产线，每月产能约2000至3000片晶圆。 S3其余的3纳米产线计划在明年底完全转换成2纳米产线。
报导说，相关行动是三星推进技术路线图的广泛战略之一，希望透过明年量产2纳米制程、2027年量产1.4纳米制程芯片，迎头赶上对手台积电。
三星美国德州泰勒厂原订今年底前投产，据悉该厂的设备装置已延至2026年之后，该推延突显三星代工厂面临的挑战，包括在最先进制程上的良率不佳，以及争取客户遇到困难。 三星3纳米制程的生产率尚未达到足以量产的水平，导致可靠性的问题。
报导指出，三星电子系统LSI部门的下一代Exynos芯片「Tethys」将进行测试，评估相关测试或许也涵盖高通、日本Preferred Networks与影像处理器开发商安霸的芯片。
一名业界人士强调这些进展的重要性，他说，随着3纳米Exynos延后等许多不利因素，确保2纳米制程的进展对三星代工而言，已成为攸关生死的大事。
报导说，半导体产业的竞争格局，特别是与台积电的竞争，突显三星代工部门投资2纳米以下制程技术的急迫性。 三星快速推进高阶技术的另一个原因也在于提高良率，并保住高通、PFN与安霸等关键客户。
