日本NAND Flash大厂铠侠新厂厂房已在7月完工，之后将阶段性进行设备投资、预估在明年秋天投产。
铠侠1日宣布，位于岩手县北上市的北上工厂「第2工厂(K2)」厂房已在7月完工，之后在密切关注需求复苏的NAND Flash市场动向的同时、将阶段性进行设备投资，预估K2将在2025年秋天投产。
铠侠指出，为了预备K2投产，自2024年11月起，行政、技术部门将陆续搬进临近K2的新行政大楼。
铠侠北上工厂于2020年开始生产、之后于2022年开始动工兴建上述K2厂房，K2原先计划要在2023年投产，不过之后因存储器市况恶化、NAND Flash需求低迷，铠侠自2022年10月开始进行减产、减产幅度一度超过3成，而作为减产措施的一环、铠侠延后K2的投产时间。
据日媒指出，上述K2工厂将在2025年9月投产、增产AI用最先进内存。 因市况复苏、铠侠已在2024年6月结束减产，目前产线稼动率已回至100%。
路透社6月26日报道，据2位熟知详情的关系人士指出，铠侠将在近期内向东京证券交易所提交上市的初步申请、目标在10月底IPO上市。 为了筹措资金、铠侠之前一直评估上市的可能性，而因半导体市况复苏、业绩急速好转，因此研判可以进行上市。
铠侠5月15日公布2024年Q1(1-3月)财报：因各家NAND Flash厂商减产、供需平衡改善，带动售价扬升，提振显示本业获利情况的合并营益自去年同期的亏损1714亿日元转为盈余439亿日元，本业为6季来首度呈现盈余; 显示最终获利情况的合并纯益自去年同期的亏损1309亿日元转为盈余103亿日元，6季来首度赚钱。
