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　　韩国媒体传出，中国存储器领导制造商长鑫存储已开始量产DDR5.迎头赶上韩国半导体产业的尖端科技产品。

　　据报道，虽然中国花了六年才赶上韩国生产DDR4的技术水平，但长鑫存储转型至DDR5的时间却仅落后韩国四年。 这凸显中国存储器技术的快速进展，三星电子、SK海力士这两家业界领导商面临隐忧。

　　一名半导体业界人士表示，若长鑫存储积极推广包括先进产品在内的低价DRAM，势必会对三星、SK海力士构成严重威胁，尤其是在中国市场。

　　中国储存制造商金百达、光威甫于12月17日推出容量32GB的DDR5产品。 这些企业将DRAM芯片组装成模组、供PC与服务器使用，并以「内建中国制DDR5晶片」的广告词销售。

　　金百达、光威虽未透露供应商，但线上产品文件表明，长鑫存储是芯片制造者。 业界内部人也确认，长鑫存储已开始接洽潜在客户、还声称良率多达80%，接近韩国对手的80~90%。

　　话虽如此，专家认为，长鑫存储DDR5的效能依旧落后三星、SK海力士。 南韩业者运用极紫外光微影技术来蚀刻更精细的电路，能降低耗电、提高储存容量。 相较之下，受到美国出口禁令箝制，中国企业无法购得EUV设备，只能仰赖较为老旧的仪器。 一名业界内部人表示，长鑫存储生产DDR5的设备应该较老旧，至今还无法大规模量产。

　　虽然市占率短期内受到的影响似乎有限，韩国企业仍旧密切关注情况演变。 一名韩国半导体高层表示，「我们正在紧盯中国市场的局势发展。」