1月10日消息，据商业科技新闻网站ZDNet报道，英特尔和镁光宣布，停止合作开发下一代3D NAND内存。
在英特尔首席执行官布莱恩•科再奇(Brian Krzanich)在拉斯维加斯举行的消费电子产品展(CES)上发表主题演讲前，这条消息被宣布。
英特尔和镁光已经在NAND内存开发方面合作了12年，英特尔资助了部分开发成本，而镁光则从NAND的销售中获益。
英特尔利用这一合作伙伴关系，在芯片市场之外拓展了新的多元化产品，并将英特尔芯片与竞争对手区分开来。
然而，两家公司将继续合作完成第三代3D NAND技术的开发，该开发工作将会在今年年底结束。它们还会继续在犹他州的合资生产厂中联合开发和生产3D XPoint存储芯片。
镁光技术开发执行副总裁斯科特•德波尔(Scott DeBoer)表示：“镁光与英特尔的合作由来已久。在未来的NAND内存开发工作中，我们都有自己的发展道路，我们期待着继续与英特尔在其他项目上合作。我们对于3D NAND技术的开发路线很明确，我们打算以领先于行业的3D NAND技术为基础，将极具竞争力的产品推向市场。”
英特尔非易失性内存解决方案部门的总经理和高级副总裁罗布•克鲁克(Rob Crooke)表示：“英特尔和镁光的长期合作使双方受益匪浅。我们现在到了合作开发NAND的一个关键点，即两家公司现在是时候分道扬镳，去追寻各自的市场了。”
对于行业观察者来说，这两家公司分道扬镳并不让人感到惊讶，因为最近几年英特尔和镁光都建立了各自的生产厂。对于镁光的16纳米平面架构NAND工艺，英特尔不感兴趣，并已决定不投资这项技术。
英特尔和镁光一直专注于NAND市场的不同领域。虽然英特尔专注于提供自家的固态硬盘(SSD)，但镁光提供固态硬盘和NAND芯片。
