韩国媒体报道，美国存储器巨头美光正在准备量产第5代高带宽存储器，并已接近完成最后的设备评估工作，其进展与韩国半导体大厂SK海力士几乎相当。此外，美光正大幅增加对关键制程设备的投资，为进一步抢占市场份额做准备。
美光崛起引发韩国企业警惕
在标准型DRAM市场中，美光曾位居第三，但近年来依靠高带宽存储器的定制化和低功耗内存连接技术，逐步缩小与领先者的差距。这种进展引发了韩国半导体业界的警惕，尤其是美光在高端存储市场的快速布局。
据悉，英伟达计划在其次世代AI加速器Rubin中采用16层堆叠的HBM3E存储器，而美光和SK海力士的量产进度不分伯仲。目前，美光的股价表现出色，在2024年12月15日收盘时大涨5.99%，达到103.19美元，创下近一个月来的新高。今年以来，美光股价已累计上涨22.61%，远超SK海力士的13.94%和三星电子的0.94%。
英伟达加速AI硬件布局
市场传言称，英伟达已决定将Rubin的发布时间提前6个月至2024年第三季度。Rubin的每颗芯片预计搭载8枚HBM4存储器，这使高带宽存储器供应商成为英伟达生态中的关键合作伙伴。
在2024年11月的一次财报电话会议中，英伟达CEO黄仁勋点名了几家“好伙伴”，包括台积电、SK海力士和美光，但并未提及三星。这引发外界关注三星在英伟达供应链中的地位是否有所下降。
三星面临挑战，黄仁勋表达信任
1月7日，黄仁勋在CES 2025期间表示，三星目前的HBM产品需要重新设计以通过英伟达的验证程序。他指出，三星在初期曾为英伟达提供第一款HBM存储器，展现出强大的研发能力。他相信三星能够迅速完成必要的调整并重振旗鼓。黄仁勋还补充道，韩国企业以“快速行动和极高效率”闻名，而三星的努力也可能为英伟达的生态系统带来新活力。
在全球AI硬件需求激增的背景下，高带宽存储器已成为各大存储器厂商的竞争焦点。美光和SK海力士在技术和量产上的迅猛进展，正在重塑市场格局。三星则面临内部技术验证和市场认可的双重挑战，但其深厚的技术积累和快速反应能力仍然被行业所期待。
英伟达的次世代产品布局，也为美光和SK海力士提供了新的增长机会，同时进一步巩固台积电在半导体领域的领先地位。
