近日，关于SK海力士加速开发第六代高频宽内存(HBM4)的消息引发业界广泛关注。据传，为满足英伟达等客户需求，SK海力士计划在2024年下半年采用 3纳米制程，而非原定的 5纳米制程，并将与晶圆代工龙头 台积电 合作开发这款尖端产品。这一决定不仅体现了SK海力士的技术突破，也标志着高端存储市场竞争进入新阶段。
HBM4：存储市场的下一个技术里程碑
高频宽内存(HBM)是一种专为高性能计算和人工智能设计的存储技术，能够显著提升数据传输速度和能效。目前，英伟达的绘图处理器(GPU)使用基于4纳米技术的HBM。但据业内消息人士透露，SK海力士计划于明年3月推出采用3纳米基础裸晶的垂直堆叠HBM4原型。这种设计不仅将芯片性能提升20%至30%，还将进一步巩固其在市场中的技术领先地位。
HBM4的基础裸晶位于HBM的底部，与GPU相连，承担着类似芯片“头脑”的作用。通过将3纳米裸晶应用于HBM4.SK海力士有望在性能和效率方面树立行业新标杆。
SK海力士与台积电的合作
SK海力士决定采用台积电的3纳米制程，是其推动HBM4性能优化的重要举措。这一合作不仅展现了台积电在先进制程领域的领先实力，也反映出存储厂商对尖端代工技术的依赖。
台积电长期以来凭借高良率和先进工艺，成为全球半导体厂商的首选代工伙伴。SK集团会长崔泰源在11月4日于首尔举行的《SK AI高峰会》上表示，台积电是“真正为客户着想的企业”。此外，他透露，为响应英伟达CEO黄仁勋提出的提前供应要求，SK海力士将HBM4的交付时间缩短了6个月。
三星的应对与挑战
面对SK海力士与台积电的技术合作，三星电子也迅速调整策略。据爆料人士@Jukanlosreve称，三星原计划采用4纳米制程生产HBM4.但在SK海力士转向3纳米后，三星也在考虑使用3纳米技术，甚至可能借助台积电的工艺。这一动态显示出三星在HBM领域面临的技术和市场压力。
三星执行副总裁Kim Jae-june在10月底的电话会议中提到，为满足HBM客户需求，三星在选择代工伙伴时会保持灵活性，包括内部生产和外部合作。但业内人士指出，三星若选择与台积电合作，将是一次史无前例的行动。这种可能性也从侧面反映出三星在良率和技术可靠性方面尚未完全达到大客户的期望。
HBM4竞争的战略意义
随着人工智能、云计算和高性能计算需求的激增，HBM技术已成为支持下一代计算的重要基石。HBM4的开发不仅是技术能力的比拼，更关乎市场地位的争夺。
SK海力士的优势：通过与台积电合作，SK海力士能快速推出性能更高的HBM4.有望在高端市场抢占更多份额，同时扩大与三星的差距。
三星的挑战：尽管三星在HBM领域具有较强的技术积累，但良率和技术瓶颈使其在与客户合作中处于被动局面。若三星能突破现有制程瓶颈，将有助于缩小与SK海力士的差距。
此外，英伟达作为主要客户，在HBM技术上的选择也将深刻影响市场格局。作为全球AI硬件的领导者，英伟达对HBM性能的需求直接驱动了存储技术的快速演进。
未来展望：HBM市场格局重塑
HBM4的竞争标志着AI硬件产业的一个重要拐点。随着技术要求的不断提高，存储厂商之间的竞争将更加激烈。
SK海力士与台积电联手，显示出跨领域合作在推动技术进步中的重要作用。
三星的应对策略，则决定了其能否在下一代存储市场中保持竞争力。
台积电的角色，无疑将进一步巩固其在全球半导体生态中的核心地位。
HBM技术的进步不仅是存储领域的技术飞跃，也将为人工智能和高性能计算注入新动力。在这场竞争中，能够更快满足市场需求并推出高性能产品的企业，将在新一轮市场格局中占据主动地位。
