三星HBM3E受阻，英伟达供应链竞争加剧
韩国媒体近日报道称，三星电子的高带宽存储器（HBM）「HBM3E」在性能和质量上未能满足英伟达的要求，导致其短期内难以进入英伟达的供应链。而竞争对手SK海力士凭借技术领先优势正进一步巩固市场地位。
三星HBM3E的挑战
未通过验证
三星的HBM3E迟迟无法通过英伟达的严格质量测试。据报道，其生产技术存在问题，尤其在晶片堆叠良率和底部填充工艺上表现不佳。
生产问题与技术限制
分析认为，三星坚持使用传统的 非导电性胶膜（NCF）技术，导致良率低至 10-20%，远低于SK海力士的 60-70%。
近期，三星已订购批量回流模制底部填充（MUF）相关设备，试图弥补技术差距。
英伟达回应
英伟达CEO黄仁勋在11月的财报电话会议上点名合作伙伴时，并未提及三星，这表明三星暂未被视为重要供应商。但随后黄仁勋透露，英伟达仍在验证三星的AI内存芯片，包括其8层和12层堆叠HBM3E。
SK海力士的领先优势
先进技术应用
SK海力士已率先采用批量回流模制底部填充技术，在良率和性能方面显著领先三星。这使其在英伟达的高端订单竞争中占据主导地位。
向HBM4进军
据市场传闻，SK海力士计划在2025年下半年推出第六代高带宽存储器（HBM4），并改用 3纳米制程，取代原定的5纳米制程。
此外，SK海力士将与台积电合作开发HBM4，以进一步提升竞争力。
市场与技术博弈
台积电的关键角色
台积电在HBM领域的技术支持至关重要。SK海力士计划使用台积电3纳米工艺，而三星也被传可能转向台积电的3纳米制程以应对竞争。
技术门槛提升
SK海力士通过技术创新拉高行业门槛，使三星在短期内难以追赶。市场分析认为，三星需要克服技术障碍并提高良率，才能在HBM领域重新获得竞争力。
英伟达的需求导向
作为全球AI芯片的领导者，英伟达对存储器性能要求极高。SK海力士的稳定供应和技术优势更能满足其需求，因此短期内可能继续依赖海力士。
未来展望
三星的潜在突破
三星正努力提升HBM3E性能，并计划加速向MUF技术转型。如果成功，其HBM3E或能在2024年后期进入英伟达的供应链。
SK海力士的进一步扩张
通过与台积电的合作及对3纳米技术的采用，SK海力士有望在HBM4市场中继续领先。
HBM市场竞争白热化
随着AI应用的快速扩张，HBM存储器需求将持续增长。三星与SK海力士的技术与产能竞争将直接影响全球供应链格局。
三星在HBM市场上的困境凸显了存储技术升级的重要性。在未来的存储器竞争中，技术创新与良率提升将成为核心驱动力，而台积电的工艺支持也将对整个行业格局产生深远影响。
