据报导三星正在美国德州泰勒市建造一座先进的半导体芯片工厂，预计2026年开始量产2nm(奈米)芯片，与台积电竞争。
Sammobile报导指出，三星在德州工厂花费数十亿美元，最近还获得美国政府47.4亿美元的奖励，可能在美生产2纳米芯片。
一份新报告称，三星代工厂将于2026年开始在泰勒工厂生产先进半导体芯片。 公司将于2026年初引进所有所需设备，并于年底前开始生产。
相较之下，三星最大的竞争对手台积电已经开始在亚利桑那第一座工厂生产4纳米芯片。 据报导，台积电将准备在今年底生产2纳米(在台湾工厂)和3纳米芯片; 至于美国第二座晶圆厂将采用2纳米或3纳米制程技术，预计2028年正式投产。
三星代工厂计划在2纳米和3纳米芯片上使用「环绕式闸极」(Gate All around，GAA) 技术，而台积电将在3纳米制程上使用极紫外光曝光机EUV技术，在2纳米制程上使用GAA技术。
