媒体传出,英伟达将次世代AI加速器Rubin的发表时程提前六个月,三星电子也加快脚步跟上。
据报道,三星计划今年上半完成第六代高带宽记忆体(HBM)「HBM4」的研发作业及预生产阶段(pre-production stage,PRA)。
PRA是三星的内部核准程序,可确认产品是否符合标准,为量产铺平道路。
外界解读,三星此举是为了将HBM产品路线图加快六个月。 原本三星计划今年上半量产第五代HBM产品HBM3E,并于下半年量产下一代产品HBM4.但考虑到市场需求和变化,公司决定加速推进HBM4的开发与量产时程。
事实上,据传英伟达已决定将次世代AI加速器「Rubin」的发布时间提前六个月,从原本的明年提前到今年第三季。 这对三星的时间表产生了重大影响。 每颗Rubin将搭配8枚HBM4.
SK集团会长崔泰源2024年11月4日在首尔举行的《SK AI高峰会》就曾指出,「上次我跟英伟达CEO黄仁勋会面时,他问我可否提前6个月供应HBM4. 我询问SK海力士CEO是否可行,得到他会努力尝试的回应。 因此,我们便决定把供应的日期提前6个月。」
崔泰源并在今年1月拉斯维加斯消费电子展举行的记者会上,提及跟黄仁勋当日稍早的会面时表示,「直到最近,SK海力士开发HBM的速度都还落后英伟达要求,因此他们希望我们能加快脚步。」不过,崔泰源说,「我们现在的研发速度已略高于英伟达要求。」
市场之前谣传,SK海力士将应重要客户要求,于2025年下半以3纳米生产客制化的HBM4.而非原定的5纳米制程。 SK海力士已决定跟晶圆代工龙头台积电合作开发HBM4.而主要出货的客户是英伟达。