英特尔原本寄望雄心勃勃的18A制程能让公司营运翻转，但现在于接近量产时，除了面临相较台积电N2制程，英特尔静态随机存取内存密度存在严重劣势之外，还有另一个大麻烦是良率低于10%。。 这两大挑战可能阻碍18A在英特尔下一代CPU、人工智能和定制芯片产品组合中的部署。
最近的报告表明，英特尔的18A制程正面临巨大的良率挑战，可能推迟其大规模生产时间表。 据韩国Chosun报道，目前的良率低于10%，意味着每生产10个芯片就有近9个有缺陷。
据报导，这是一个主要问题，特别因为英特尔已取消Foundry客户的20A(2纳米等级)制程，并将资源转移到18A(1.8纳米等级)制程。 如果低于10%的良率被证明是真的，则可能会使该制程不适合商业生产。
另根据2025国际固态电路研讨会先进计划，英特尔的18A SRAM密度大幅低于台积电的N2.较接近台积电的3纳米(N3)。
英特尔18A在预计2025年产量提升之前，该公司仍有几个月的时间来完善该制程，如果成功，潜在的回报是巨大的，18A预计将为英特尔的Clearwater Forest服务器芯片、Panther Lake移动CPU和定制AI芯片等备受瞩目的产品供电。
英特尔的18A是继20A之后，第二个使用全方位栅极RibbonFET晶体管和背部供电技术的制程技术。 与2纳米级制程相比，18A制程优化了RibbonFET设计，从而提高10%的性能功耗比，这种技术对需要大量功率的数据中心级产品尤为关键。
